标准号T/IAWBS 010—2019状态
发布时间：2019年12月27日
实施时间：2019年12月31日
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法基本信息
标准号：T/IAWBS 010—2019
团体名称：中国标准化协会
主要技术内容：随着SiC产业的发展，获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都会破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。现行的测试方法主要是在漫反射条件下依据目测观察，而SiC单晶抛光片的表面存在着颗粒、划痕、凹坑等缺陷，依靠人为目测，会存在较大误差。本标准采用先进仪器，客观的表征SiC单晶抛光片表面的划痕、颗粒、凹坑等缺陷。
中国标准分类号：C398 电子元件及电子专用材料制造
国际标准分类号：29.045
发证机关：中华人民共和国民政部
行业分类：
标准名称：碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。