当前位置:规范网标准行业标准碳化硅单晶电学性能的测试方法 (SJ/T 11499-2015)

碳化硅单晶电学性能的测试方法 (SJ/T 11499-2015)

下载
免费下载 SJ/T 11499-2015

碳化硅单晶电学性能的测试方法 (SJ/T 11499-2015)

标准号SJ/T 11499-2015状态

发布于:2015-04-30

实施于:2015-10-01

碳化硅单晶电学性能的测试方法

标准号:SJ/T 11499-2015

中国标准分类号:H83

国际标准分类号:29.045

批准发布部门:工业和信息化部

行业分类:无

丁丽、郑庆瑜、蔺娴 等

中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院

本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。 标准适用于在(~263.15~426.85)℃温度范围内,电阻率在1×10∧5Ω.cm以下、晶型为6H和4H的碳化 硅单晶的电学性能测试。

声明:资源收集自网络或用户分享,仅供学习参考,使用请以正式版为准;如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误