标准号GB/T 6616-2023状态
发布于：2023-08-06
实施于：2024-03-01
半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法基本信息
标准号：GB/T 6616-2023
全部代替标准：GB/T 6616-2009
标准类别：方法
中国标准分类号：H21
国际标准分类号： 77.040 77 冶金，77.040 金属材料试验
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门：国家标准化管理委员会
国家标准《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、浙江旭盛电子有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、昆山海菲曼科技集团有限公司。
主要起草人 何烜坤 、刘立娜 、李素青 、张颖 、马春喜 、张海英 、潘金平 、丁雄杰 、任殿胜 、王元立 、朱晓彤 、张雪囡 、佘宗静 、齐斐 、许蓉 、李明达 、詹玉峰 、黄笑容 、边仿 。