标准号T/CASAS 014-2021状态
发布时间：2021-11-01
实施时间：2021-12-01
碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
标准号：T/CASAS 014-2021
标准名称：碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
中国标准分类号：
国际标准分类号：31.030
陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学成、赵璐冰
广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。
本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征。