半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 (GB/T 43493.2-2023)

标准号GB/T 43493.2-2023状态

发布于：2023-12-28

实施于：2024-07-01

半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法基本信息

标准号：GB/T 43493.2-2023

标准类别：方法

中国标准分类号：L90

国际标准分类号： 31.080.99 31 电子学，31.080 半导体分立器件，31.080.99 其他半导体分立器件

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、厦门普诚科技有限公司。

主要起草人 芦伟立 、房玉龙 、李佳 、张冉冉 、李丽霞 、杨青 、殷源 、刘立娜 、张建锋 、李振廷 、徐晨 、宋生 、张永强 、钮应喜 、金向军 、毛开礼 、丁雄杰 、刘薇 、周少丰 、庄建军 、乐卫平 、周翔 、夏俊杰 、陆敏 、郑隆结 、薛联金 。

半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 (GB/T 43493.2-2023)