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碳化硅混合模块测试方法 (T/IAWBS 006-2018)

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碳化硅混合模块测试方法 (T/IAWBS 006-2018)

标准号T/IAWBS 006—2018状态

发布时间:2018年12月06日

实施时间:2018年12月17日

碳化硅混合模块测试方法基本信息

标准号:T/IAWBS 006—2018

团体名称:中国标准化协会

主要技术内容:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验,特性参数测试、耐久性测试,根据特性参数确认模块特性,由此判断是否通过极限值试验。参数包括(集电极-发射极电压VCES,二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向(直流)电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1SCSOA1、二极管正向(不重复)浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等)。本标准还规定了检测报告中应给出的信息。

中国标准分类号:C397 电子器件制造

国际标准分类号:29.045

发证机关:中华人民共和国民政部

行业分类:

标准名称:碳化硅混合模块测试方法

本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。

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