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光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 (SJ/T 11492-2015)

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光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 (SJ/T 11492-2015)

标准号SJ/T 11492-2015状态

发布于:2015-04-30

实施于:2015-10-01

光致发光法测定磷镓砷晶片的组分

标准号:SJ/T 11492-2015

中国标准分类号:H83

国际标准分类号:29.045

批准发布部门:工业和信息化部

行业分类:无

李静、金鹏、何秀坤 等

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国科学院半导体研究所等

本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。 本标准适用于气相外延生长的,光致发光峰(λpl)在640nm~670nm范围内时,对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。

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