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低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 (SJ/T 11489-2015)

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低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 (SJ/T 11489-2015)

标准号SJ/T 11489-2015状态

发布于:2015-04-30

实施于:2015-10-01

低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法

标准号:SJ/T 11489-2015

中国标准分类号:H83

国际标准分类号:29.049

批准发布部门:工业和信息化部

行业分类:无

章安辉、何秀坤、刘兵 等

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等

本标准规定了低位错密度磷化铟(InP)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。 本标准适用于直径2英寸且EPD小于5000/cm2 的圆形InP晶片的EPD的测量。

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