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低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 (GB/T 34481-2017)

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低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 (GB/T 34481-2017)

标准号GB/T 34481-2017状态

发布于:2017-10-14

实施于:2018-07-01

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法基本信息

标准号:GB/T 34481-2017

中国标准分类号:H25

国际标准分类号: 77.040     77 冶金 77.040 金属材料试验

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

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