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硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 (GB/T 14141-2009)

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硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定  直排四探针法 (GB/T 14141-2009)

标准号GB/T 14141-2009状态

发布于:2009-10-30

实施于:2010-06-01

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法基本信息

标准号:GB/T 14141-2009

全部代替标准:GB/T 14141-1993

中国标准分类号:H80

国际标准分类号: 29.045     29 电气工程 29.045 半导体材料

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

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