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半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 (GB/T 6616-1995)

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半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定  非接触涡流法 (GB/T 6616-1995)

标准号GB/T 6616-1995状态

发布于:1995-04-18

实施于:1995-12-01

标准状态:被代替

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法基本信息

标准号:GB/T 6616-1995

被代替日期:2010-06-01

中国标准分类号:H21

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

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