标准号T/CASAS 022-2022状态
发布日期：2022年12月09日
实施日期：2022年12月09日
三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范基本信息
标准编号：T/CASAS 022—2022
英文标题：Technical specification for gallium nitride field effect transistor used in line terminal units and triphase electricity meters
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
国民经济分类：C397 电子器件制造
起草人：王祥、洪海敏、温雷、曾凡明、李汝冠、贺致远、孙川、马胜国、武占侠、顾才鑫、谢健兴、乔良、李胜、董泽政、汪青、郑智斌、高伟。
起草单位：深圳智芯微电子科技有限公司、深圳市国电科技通信有限公司、珠海镓未来科技有限公司、广州广电计量检测股份有限公公司、工业和信息化电子第五研究所、泰克科技（中国）有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、浙江大学、南方科技大学、厦门华联电子股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
范围：本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管（以下简称“GaN晶体管”）的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900 V、系统输出功率范围20 W- 100 W、工作频率40 kHz- 500 kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用。
内容概括：本文件使用范围为三相智能电表及小型线路终端用氮化镓场效应晶体管。氮化镓具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗辐射能力等一系列优点，在电网中的三相智……