标准号T/CASAS 032-2023状态
发布日期：2023年06月19日
实施日期：2023年06月19日
碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法基本信息
标准编号：T/CASAS 032—2023
英文标题：Test method for the content of metal elements on the surface of silicon carbide wafer—Inductively coupled plasma mass spectrometry
国际标准分类号：31-030
国民经济分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
起草人：崔潆心、陈秀芳、谢雪健、杨祥龙、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏
起草单位：山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
内容概括：本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。本文件适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰……