当前位置:规范网标准团体标准制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 (T/ZJATA 0017-2023)

制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 (T/ZJATA 0017-2023)

下载
免费下载 T/ZJATA 0017-2023

制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 (T/ZJATA 0017-2023)

标准号T/ZJATA 0017-2023状态

发布日期:2023年06月20日

实施日期:2023年07月20日

制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备基本信息

标准编号:T/ZJATA 0017—2023

国际标准分类号:31.220.01机电元件综合

国民经济分类:C356 电子和电工机械专用设备制造

起草人:曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、周建灿、刘毅、沈文杰、金玲飞、刘丹丹、余婷、楼科利、朱盛霞。

起草单位:浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、浙江求是创芯半导体设备有限公司、中国质量认证中心杭州分中心。

范围:本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称碳化硅外延设备)的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm(4英寸)、150 mm(6英寸)和200 mm(8英寸)SiC 晶片的碳化硅外延设备。

内容概括:本文件包含了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称“外延设备”)的产品分类、工作条件、技术要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和……

声明:资源收集自网络或用户分享,仅供学习参考,使用请以正式版为准;如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误