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高压MOSFET用200 mm硅外延片 (T/ZZB 2833-2022)

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高压MOSFET用200 mm硅外延片 (T/ZZB 2833-2022)

标准号T/ZZB 2833-2022状态

发布日期:2022年12月08日

实施日期:2022年12月31日

高压MOSFET用200 mm硅外延片基本信息

标准编号:T/ZZB 2833—2022

英文标题:200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET

国际标准分类号:29.045

中国标准分类号:H82

国民经济分类:C398 电子元件及电子专用材料制造

起草人:本文件主要起草人: 许峰、李慎重、李刚、刘红方、 朱华英、 李方虎、 李艳玲。

起草单位:本文件由宁波市标准化研究院牵头组织制定。本文件主要起草单位: 浙江金瑞泓科技股份有限公司。本文件参与起草单位: 金瑞泓科技(衢州)有限公司。

内容概括:本文件规定了高压MOSFET用200mm硅外延片(以下简称硅外延片)的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质……

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