标准号T/CI 161-2022状态
发布日期：2022年12月15日
实施日期：2022年12月15日
1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管（IGBT）驱动器基本信息
标准编号：T/CI 161—2022
英文标题：1 200 V and 1 700 V Insulated grade bipolar transistor（IGBT）gate driver
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
国民经济分类：C389 其他电气机械及器材制造
起草人：李军、王坤、陈哲、钱方平、刘伟、李景灏、周才运、张杰、郭祥辉、刘乃强、杨昌国、王文广、洪磊、沈军武、付厚、魏平、孔佳佳。
起草单位：杭州飞仕得科技股份有限公司、浙江运达风电股份有限公司、杭州得诚电力科技股份有限公司、杭州飞仕得半导体科技有限公司、杭州毕博标准化技术有限公司
范围：本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）。
内容概括：3.1 开通延时openingdelay驱动器输入PWM信号上升沿10%传输至门极输出信号上升沿10%所需的时间。3.2 关断延时turn-offdelay驱动……