标准号T/CASAS 016-2022状态
发布日期：2022年07月18日
实施日期：2022年07月18日
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法基本信息
标准编号：T/CASAS 016—2022
英文标题：Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）
国际标准分类号：31.080.01半导体器分立件综合
国民经济分类：C397 电子器件制造
起草人：付志伟、侯波、周斌、陈思、杨晓锋、陈义强、陈媛、来萍、黄云、路国光、刘奥、郭怀新、李巍巍、李金元、李尧圣、王来利、刘斯扬、杨家跃、崔益军、唐宏浩、乔良、徐瑞鹏。
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、国网智能电网研究院有限公司、西安交通大学、东南大学、山东大学、南京航空航天大学、深圳基本半导体有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
范围：本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试。
是否包含专利信息：否
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域……