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碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 (T/IAWBS 016-2022)

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碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 (T/IAWBS 016-2022)

标准号T/IAWBS 016-2022状态

碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法基本信息

标准编号:T/IAWBS 016—2022

国际标准分类号:29.045

国民经济分类:C398 电子元件及电子专用材料制造

起草人:刘素娟、 鲍慧强、 李龙远、 王锡铭、 赵然、 赵子强、 刘春俊、 闫 方亮、 郑红军、 王文军、 钮应喜、 刘兴昉、 刘祎晨

起草单位:国宏中宇科技发展有限公司、 中关村天合宽禁带半导体技术创新联 盟、 中科钢研节能科技有限公司、 北京天科合达半导体股份有限公司、 中国科学院物理研 究所、 北京三平泰克科技有限责任公司、 北京聚睿众邦科技有限公司、 芜湖启迪半导体有 限公司、 中国科学院半导体研究所

范围:本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。

是否包含专利信息:否

本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点,并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平,对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文……

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