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SiC晶片的残余应力检测方法 (T/ZSA 38-2020)

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SiC晶片的残余应力检测方法 (T/ZSA 38-2020)

标准号T/ZSA 38—2020状态

发布时间:2020年12月17日

实施时间:2020年12月18日

SiC晶片的残余应力检测方法基本信息

标准号:T/ZSA 38—2020

团体名称:中国标准化协会

主要技术内容:本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当,对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

中国标准分类号:C398 电子元件及电子专用材料制造

国际标准分类号:29.045

发证机关:中华人民共和国民政部

行业分类:

标准名称:SiC晶片的残余应力检测方法

本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当,对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

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