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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 (T/CASAS 006-2020)

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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 (T/CASAS 006-2020)

标准号T/CASAS 006—2020状态

发布时间:2020年12月28日

实施时间:2021年01月01日

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范基本信息

标准号:T/CASAS 006—2020

团体名称:中国标准化协会

主要技术内容:本文件充分借鉴了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistorsforpowerswitchingapplications的内容,并结合了近几年科研人员在SiCMOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结,对SiCMOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定,但局限于当前科研人员对SiCMOSFET器件的认知,以及该产品生产与应用所处的发展阶段,可能还存在一些不足的地方,后续将根据研究进展不断进行完善和升级。

中国标准分类号:C397 电子器件制造

国际标准分类号:29.045

发证机关:中华人民共和国民政部

行业分类:

标准名称:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称“晶体管”)的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。

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