标准号T/CASAS 009—2019状态
发布时间：2019年11月25日
实施时间：2019年11月25日
半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法基本信息
标准号：T/CASAS 009—2019
团体名称：中国标准化协会
主要技术内容：半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。
中国标准分类号：C398 电子元件及电子专用材料制造
国际标准分类号：31.080.01 半导体器分立件综合
发证机关：中华人民共和国民政部
行业分类：半导体器分立件综合
标准名称：半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法