标准号T/CASAS 003—2018状态
发布时间：2018年11月20日
实施时间：2018年11月20日
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片基本信息
标准号：T/CASAS 003—2018
团体名称：中国标准化协会
主要技术内容：SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiCPiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看，n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似，所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底，为了制造n沟道IGBT器件材料，需要使用反转型n沟道IGBT器件结构，制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比，p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单，而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底，即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料，正是该p+型漂移层，使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能。
中国标准分类号：A011 谷物种植
国际标准分类号：31.080.01 半导体器分立件综合
发证机关：中华人民共和国民政部
行业分类：半导体器分立件综合
标准名称：p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片