标准号T/CASAS 001—2018状态
发布时间：2018年09月21日
实施时间：2018年09月21日
碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范基本信息
标准号：T/CASAS 001—2018
团体名称：中国标准化协会
主要技术内容：碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高频、大功率、抗辐射功率器件。不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域广泛应用，而且在太阳能、风能、电动汽车航空航天等领域也具有广阔的应用前景。随着SiC肖特基势垒二极管的技术发展、市场逐步开启，Si二极管的标准在某些方面的规定既不能体现SiC二极管优越的特性，也限制了SiC二极管在某些突出特性方面的发展，制定《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》，以支撑产品的设计、生产、测量、验收等工作。
中国标准分类号：M732 工程和技术研究和试验发展
国际标准分类号：31.080.01 半导体器分立件综合
发证机关：中华人民共和国民政部
行业分类：半导体器分立件综合
标准名称：碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范