当前位置:规范网标准行业标准半导体深能级的瞬态电容测试方法 (SJ/T 10482-1994)

半导体深能级的瞬态电容测试方法 (SJ/T 10482-1994)

下载
免费下载 SJ/T 10482-1994

半导体深能级的瞬态电容测试方法 (SJ/T 10482-1994)

标准号SJ/T 10482-1994状态

发布于:1994-04-11

实施于:1994-10-01

半导体深能级的瞬态电容测试方法

标准号:SJ/T 10482-1994

中国标准分类号:L11

国际标准分类号:29.045

批准发布部门:电子工业部

行业分类:无

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。 本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。

声明:资源收集自网络或用户分享,仅供学习参考,使用请以正式版为准;如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误