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重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 (SJ/T 11498-2015)

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重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 (SJ/T 11498-2015)

标准号SJ/T 11498-2015状态

发布于:2015-04-30

实施于:2015-10-01

重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法

标准号:SJ/T 11498-2015

中国标准分类号:H82

国际标准分类号:29.045

批准发布部门:工业和信息化部

行业分类:无

何友琴、马农农、何秀坤 等

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等

本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。 本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(1×10∧20at·cm-3)的硅材料。特别适用于电阻率在0.0012Ω·cm~1.0Ω·cm的p型硅材料和电阻率在0.008Ω·cm~0.2·cm的n型硅材料。

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