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采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法 (GB/T 32651-2016)

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采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法 (GB/T 32651-2016)

标准号GB/T 32651-2016状态

发布于:2016-04-25

实施于:2016-11-01

采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法基本信息

标准号:GB/T 32651-2016

中国标准分类号:H82

国际标准分类号: 29.045     29 电气工程 29.045 半导体材料

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

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