半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD） (GB/T 43894.1-2024)

标准号GB/T 43894.1-2024状态

发布于：2024-04-25

实施于：2024-11-01

半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）基本信息

标准号：GB/T 43894.1-2024

标准类别：方法

中国标准分类号：H21

国际标准分类号： 77.040 77 冶金，77.040 金属材料试验

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技（集团）股份有限公司。

主要起草人 王玥 、朱晓彤 、孙燕 、宁永铎 、徐新华 、徐国科 、李春阳 、张海英 、陈海婷 、丁雄杰 、郭正江 。

半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD） (GB/T 43894.1-2024)