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碳化硅晶体材料缺陷图谱 (GB/T 43612-2023)

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碳化硅晶体材料缺陷图谱 (GB/T 43612-2023)

标准号GB/T 43612-2023状态

发布于:2023-12-28

实施于:2024-07-01

碳化硅晶体材料缺陷图谱基本信息

标准号:GB/T 43612-2023

标准类别:基础

中国标准分类号:H 80

国际标准分类号: 29.045 29 电气工程,29.045 半导体材料

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《碳化硅晶体材料缺陷图谱》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司。

主要起草人 丁雄杰 、刘薇 、韩景瑞 、贺东江 、李素青 、丁晓民 、张红 、李焕婷 、张红岩 、杨昆 、李斌 、尹浩田 、高伟 、路亚娟 、佘宗静 、王阳 、钮应喜 、晏阳 、姚康 、金向军 、吴殿瑞 、李国鹏 、张新峰 、赵丽丽 、张胜涛 、夏秋良 、李国平 。

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