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微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法 (GB/T 42897-2023)

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微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法 (GB/T 42897-2023)

标准号GB/T 42897-2023状态

发布于:2023-08-06

实施于:2023-12-01

微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法基本信息

标准号:GB/T 42897-2023

标准类别:方法

中国标准分类号:L59

国际标准分类号: 31.200 31 电子学,31.200 集成电路、微电子学

归口单位:全国微机电技术标准化技术委员会

执行单位:全国微机电技术标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法》由TC336(全国微机电技术标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 北京大学、中机生产力促进中心有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京燕东微电子科技有限公司、厦门市智慧健康研究院有限公司、宁波瑞成包装材料有限公司、四川富生电器有限责任公司、深圳市美思先端电子有限公司、无锡韦感半导体有限公司、广州奥松电子股份有限公司、江门市润宇传感器科技有限公司。

主要起草人 张大成 、杨芳 、李根梓 、顾枫 、刘鹏 、李凤阳 、王旭峰 、高程武 、陈艺 、于志恒 、华璇卿 、刘若冰 、张彦秀 、王清娜 、邵峥 、李强 、宏宇 、赵成龙 、张宾 、李海全 。

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