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硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 (GB/T 1553-2023)

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硅和锗体内少数载流子寿命的测定  光电导衰减法 (GB/T 1553-2023)

标准号GB/T 1553-2023状态

发布于:2023-08-06

实施于:2024-03-01

硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法基本信息

标准号:GB/T 1553-2023

全部代替标准:GB/T 1553-2009

标准类别:方法

中国标准分类号:H21

国际标准分类号: 77.040 77 冶金,77.040 金属材料试验

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广州昆德半导体测试技术有限公司、青海芯测科技有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司。

主要起草人 孙燕 、宁永铎 、李素青 、朱晓彤 、贺东江 、王昕 、薛心禄 、徐岩 、潘金平 、严大洲 、王彬 、蔡云鹏 、田新 、赵培芝 、冉胜国 、韩成福 、普世坤 、蔡丽艳 、高源 、赵晶 、崔丁方 。

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