标准号GB/T 41751-2022状态
发布于：2022-10-14
实施于：2023-02-01
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法基本信息
英文标题：Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
标准号：GB/T 41751-2022
标准类别：方法
中国标准分类号：H21
国际标准分类号： 77.040 77 冶金 77.040 金属材料试验
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
国家标准《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。