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硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 (GB/T 25188-2010)

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硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量  X射线光电子能谱法 (GB/T 25188-2010)

标准号GB/T 25188-2010状态

发布于:2010-09-26

实施于:2011-08-01

硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法基本信息

标准号:GB/T 25188-2010

中国标准分类号:G04

国际标准分类号: 71.040.40     71 化工技术 71.040 分析化学 71.040.40 化学分析

归口单位:全国微束分析标准化技术委员会

执行单位:全国微束分析标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

国家标准《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》由TC38(全国微束分析标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

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