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发光二极管芯片点测方法 (DB35/T 1370-2013)

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标准号DB35/T 1370-2013状态

发布于:2013-12-04

实施于:2014-03-01

状态:现行

发光二极管芯片点测方法

标准号:DB35/T 1370-2013

中国标准分类号:L45

国际标准分类号:31.260

批准发布部门:福建省质量技术监督局

行业分类:信息传输、软件和信息技术服务业

蔡伟智、梁奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、兰国政

厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件(LED)应用产品质量监督检验中心

本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

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