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碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 (T/IAWBS 021-2024)

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碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 (T/IAWBS 021-2024)

标准号T/IAWBS 021-2024状态

发布日期:2024年05月17日

实施日期:2024年05月24日

碳化硅晶片边缘轮廓检验方法基本信息

标准编号:T/IAWBS 021—2024

英文标题:Test methods for edge contour of silicon carbide wafers

国际标准分类号:29.020

中国标准分类号:H80/84

国民经济分类:C398 电子元件及电子专用材料制造

起草人:佘宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、郑红军、蔡丽艳

起草单位:北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司

内容概括:本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓(包含切口)的检测方法。本文件适用于检测倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓(包含切口),其他材料晶片边缘轮廓的检测可参照本文件执行。……

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