标准号T/CNS 82-2022状态
发布日期：2022年12月16日
实施日期：2023年04月01日
宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法基本信息
标准编号：T/CNS 82—2022
英文标题：Test method for total ionizing dose effect of static random-access memory in space application
国际标准分类号：27.120.01核能综合
中国标准分类号：F 70
国民经济分类：C397 电子器件制造
起草人：郑齐文、崔江维、余学峰、郭旗、李豫东、王信、张丹、陆妩、何承发、崔帅、李鹏伟
起草单位：中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团有限公司第五研究院宇航物资保障事业部
范围：本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力，抗辐射加固SRAM试验验证，SRAM总剂量效应研究。
内容概括：本文件规定了宇航用静态随机存储器（StaticRandom-AccessMemory,SRAM）总剂量(totalionizingdose,TID)效应试验方法……