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电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法 (T/CNS 81-2022)

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电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法 (T/CNS 81-2022)

标准号T/CNS 81-2022状态

发布日期:2022年12月16日

实施日期:2023年04月01日

电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法基本信息

标准编号:T/CNS 81—2022

英文标题:Simulation test method of proton induced displacement damage effects in charge-coupled device

国际标准分类号:27.120.01核能综合

中国标准分类号:F 70

国民经济分类:C397 电子器件制造

起草人:文林、李豫东、郭旗、周东、何承发、张兴尧、于新、冯婕、王信、张丹、崔帅、李鹏伟

起草单位:中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团公司第五研究院物资部

范围:本文件适用于宇航用CCD位移损伤效应辐照试验。

内容概括:本文件描述了采用质子对电荷耦合器件(CCD)进行位移损伤效应辐照试验的一般要求、试验方法和程序。……

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