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300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片 (T/NXCL 29-2024)

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300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片 (T/NXCL 29-2024)

标准号T/NXCL 29-2024状态

发布日期:2024年02月06日

实施日期:2024年02月06日

300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片基本信息

标准编号:T/NXCL 29—2024

英文标题:300 mmlow oxygen content single crystaline Czochralski silicon polished wafers

国际标准分类号:29.045

国民经济分类:C398 电子元件及电子专用材料制造

起草人:王黎光、商润龙、芮阳、杨少林、陈亚、蔡润、赵泽慧、赵延祥、曹启刚、王忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺

起草单位:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司

范围:本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件技术需求的衬底片。

内容概括:本文件规定了300mm低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单(或合同)内容和质量承诺等……

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