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相变存储器电性能测试方法 (T/CSTM 01003-2023)

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相变存储器电性能测试方法 (T/CSTM 01003-2023)

标准号T/CSTM 01003-2023状态

发布日期:2023年03月07日

实施日期:2023年06月07日

相变存储器电性能测试方法基本信息

标准编号:T/CSTM 01003—2023

英文标题:Measurement methods for electrical properties of phase change memory

国际标准分类号:31.200

中国标准分类号:L 56

国民经济分类:C397 电子器件制造

起草人:缪向水、何强、童浩、程晓敏、刘峻、李硕、任玲玲、李锟。

起草单位:华中科技大学、长江存储科技有限责任公司、中国计量科学研究院、中国电子技术标准化研究院。

范围:本文件规定了相变存储单元器件的电性能测试方法,分为器件性能测试和器件可靠性测试,器件性能测试包括电流-电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗;器件可靠性测试包括耐久性和数据保持时间。本文件适用于相变存储单元器件(以下简称器件)。

内容概括:本文件规定了相变存储单元器件的电性能测试方法,分为器件性能测试和器件可靠性测试,器件性能测试包括电流-电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压……

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