当前位置:规范网标准行业标准半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 (SJ/T 11586-2016)

半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 (SJ/T 11586-2016)

下载
免费下载 SJ/T 11586-2016

半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 (SJ/T 11586-2016)

标准号SJ/T 11586-2016状态

发布于:2016-01-15

实施于:2016-06-01

半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

标准号:SJ/T 11586-2016

中国标准分类号:L40

国际标准分类号:31.080.01

批准发布部门:工业和信息化部

行业分类:无

罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等

工业和信息化部电子第五研究所

本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10keV,最大能量不超过100keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。 本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。 本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。

声明:资源收集自网络或用户分享,仅供学习参考,使用请以正式版为准;如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误