标准号SJ/T 11586-2016状态
发布于：2016-01-15
实施于：2016-06-01
半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
标准号：SJ/T 11586-2016
中国标准分类号：L40
国际标准分类号：31.080.01
批准发布部门：工业和信息化部
行业分类：无
罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等
工业和信息化部电子第五研究所
本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10keV，最大能量不超过100keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。 本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。 本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。